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Siliciumcarbid und seine Eigenschaften

Siliciumcarbid - physikalisch und chemisch analysiert

Siliciumcarbid bringt hexagonale, trigonale und rhomboedrische, meist blättrig ausgebildete Kristalltafeln zur Kristallisation.

Die Dichte beträgt 3,21 und dissoziiert bei ca. 2300 Grad Celsius.

Technisches Siliciumcarbid ist durch den Einbau von Fremdatomen in das Raumgitter meist glänzend grün bis blauschwarz gefärbt. In der Härte nähert es sich dem Diamant.

In Amerika bezeichnet als:
"Lab-created Moissanite Gemstones™"
Moissanit mit Schliffkantendoppelbrechung
bei seitlicher Betrachtung; 20 fach
Abb.: 2
Moissanit mit Schliffkantendoppelbrechung bei seitlicher Betrachtung; 20 fach Abb.: 2

Siliciumcarbid (SiC) ist eine chemische Verbindung von Silicium (Si) und Kohlenstoff (C) (reagiert bei 2000 °C).

Seine hohe Härte erklärt sich aus der festen Bindung zwischen den Silicium- und Kohlenstoffatomen (Kovalenz).

Mit der sehr hohen Mohshärte 9,6 (Diamant hat 10) ritzt es Stahl und Korund. Durch diese hohe Härte hat es hervorragende Halbleitereigenschaften.

Sein Einsatzgebiet ist breit gefächert: als Halbleiterelement für hohe Temperaturen und Temperaturunterschiede, für hohe Frequenzen und Spannungen und als Photodetektor des fernen UV, also der Photovoltaik. Ebenso ist es ein wichtiger Rohstoff in der Mikroelektronik, für den Computer.

Außerdem dient Silicium zur Legierung verschiedener Metalle wie Eisen, Kupfer oder Aluminium.

SiC ist sehr unempfindlich gegenüber Strahlungen, besitzt eine große thermische Stabilität und chemische Beständigkeit.

Siliciumcarbid existiert in verschiedenen Modifizierungen, von denen die sogenannte rhomboedrisch – hexagonale Hochtemperaturform (a-SiC) die gewöhnliche Form darstellt.

Die neuesten Produktionen der farblosen Moissanite in Schmuckqualität sollen von der hexagonalen α-SiC Kristallisation auf eine neue kubische &Βeta;-SiC Kristallisation verändert worden sein.

Im Sic-Einkristall ist sowohl eine kubische, als auch eine hexagonale oder rhomboedrische Symmetrie, als Folge der tetraedrischen Bindungsverhältnisse, möglich.

Die einzelnen Modifizierungen unterscheiden sich in der Anordnung der Siliciumcarbid-Schichtebenen.

Siliciumcarbid widersteht auch bei höheren Temperaturen den Angriffen von Chlor, Schwefel, Sauerstoff und starken Säuren (es ist sogar unlöslich in einem Gemische aus rauchender Salpetersäure und Flußsäure).

Dagegen oxidiert es beim Glühen mit Ätzalkalien unter Luftzutritt in Silicat und Carbonat umgewandelt > SiC + 4KOH+ 2O2 > K2SiO3 + K2C03 + 2H2O.

In der Natur kommt Siliciumcarbid in meteoritischem und vulkanischem Gestein vor.

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<<Natürliches Vorkommen von Moissanit
Die Gewinnung von reinem Siliciumcarbid>>


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